Vývoj nové generace operačních pamětí DDR6 oficiálně začal. Tři největší výrobci DRAM – Samsung, SK Hynix a Micron – spouštějí vývojové programy, které mají přinést paměti s výrazně vyšší rychlostí, kapacitou i efektivitou. Cílem je uspokojit rostoucí poptávku po výkonnějších řešeních pro AI datacentra, kde současné DDR5 už naráží na limity.
DDR6 paměti vstupují do vývoje jako další zásadní milník v paměťovém průmyslu a tři největší výrobci – Samsung, SK Hynix a Micron – už zahájili první fázi společného vývoje se substrátovými firmami. Jde o krok, který obvykle přichází více než dva roky před komercializací, což potvrzuje, že tlak datacenter a umělé inteligence je tak silný, že si vyžádal urychlení celého procesu. DDR6 má podle dostupných informací dorazit na trh v letech 2028–2029, přičemž spotřebitelský segment se k nové generaci dostane až kolem roku 2030 nebo později.
Výrobci se shodují, že DDR5 už začíná narážet na limity, zejména v oblasti AI výpočtů, kde je propustnost paměti jedním z hlavních úzkých míst. DDR6 má proto nabídnout výrazně vyšší rychlosti – první specifikace počítají se základními hodnotami kolem 8,4 Gb/s, přičemž pozdější revize mají dosáhnout až 17,6 Gb/s, tedy více než dvojnásobku dnešních nejrychlejších DDR5 modulů. Součástí nové architektury má být také přepracovaný systém sub‑kanálů, který zlepší paralelní zpracování dat a sníží latence, což je klíčové pro AI servery a trénování velkých jazykových modelů.
Velký důraz se klade i na energetickou efektivitu. Mobilní varianta LPDDR6 má podle návrhů JEDEC pracovat s napětím pod 1,0 V a nabídnout kapacity až 512 GB v novém SOCAMM2 formátu. To je zásadní zejména pro AI akcelerátory a edge zařízení, kde se LPDDR díky nízké spotřebě stává preferovaným řešením. Výrobci zároveň upozorňují, že poptávka po pamětech bude v příštích letech dál růst – Samsung i Micron očekávají nedostatek DRAM minimálně do roku 2027, přičemž rok 2027 má být podle nich ještě náročnější než 2026.
Závod o DDR6 je proto nejen technologický, ale i strategický. Kdo prosadí své návrhy do finálního standardu JEDEC, získá náskok v optimalizaci výroby, výtěžnosti i výkonu. SK Hynix už ve své roadmapě uvádí DDR6 v období 2029–2031, společně s novými generacemi HBM pamětí a 3D DRAM. Samsung zase investuje do pokročilých substrátů a balení, které budou pro DDR6 klíčové, protože vyšší rychlosti vyžadují přesnější vedení signálů a nižší elektromagnetický šum.
„Společnosti vyrábějící paměti a výrobci substrátů obvykle začínají se společným vývojem více než dva roky před uvedením produktu na trh,“ uvedl zástupce z odvětví substrátů. „Počáteční vývoj DDR6 začal nedávno.“ uvádí server The Elec.
DDR6 tak nebude jen evolucí, ale reakcí na éru, kde AI modely, datacentra a vysokopropustné výpočty určují tempo vývoje. Nová generace pamětí má přinést výkon, který umožní další růst AI infrastruktury, a teprve poté se postupně dostane do běžných počítačů a notebooků.
